環(huán)球半導體推出氮化鎵快充專用控制芯片G1603B和G3603

基于領先的快充電源芯片設計技術和數(shù)字電源技術平臺,環(huán)球半導體最新推出了氮化鎵(GaN)快充電源芯片解決方案。這套芯片方案基于行業(yè)領先的高壓工藝制程,包括PWM氮化鎵(GaN)直驅控制器G1603B和次級高頻同步整流芯片G3603。


初級PWM氮化鎵直驅控制器集成了高壓啟動、X-cap放電、Brownin Brownout,VCC最高支持85V供電支持PPS快充全電壓輸出范圍,工作頻率最高200kHz,支持CCM & 基于數(shù)字電源開發(fā)技術,內(nèi)部設計多種自適應控制以獲得不同輸出電壓、負載下轉換效率達到最佳。具有高可靠性、高穩(wěn)定性,精確的環(huán)路控制,完善的保護功能。提供SOP8和SOT236兩種封裝形式。


次級同步整流芯片支持全模式(CCM\DCM\QR)工作,工作頻率高達500kHz,工作電壓高于110V,具有外圍精簡、CCM快速關斷、DS尖峰小、避免DCM振鈴誤開啟等特點。

環(huán)球半導體推出氮化鎵快充專用控制芯片G1603B和G3603

公司介紹:


環(huán)球半導體/GlobalSemi(無錫博通微電子技術有限公司)是一家專注于高性能電源管理芯片研發(fā)設計的高新技術企業(yè),所推出的電源管理芯片產(chǎn)品為包括5G智能設備、移動設備、網(wǎng)絡通信、白色家電、醫(yī)療電源、工控等領域在內(nèi)的大量電子產(chǎn)品設計出小巧緊湊的高能效電源。


環(huán)球半導體自創(chuàng)立以來一直秉持自主創(chuàng)新、高性價比、注重品質保障的發(fā)展戰(zhàn)略。以“電源芯片解決方案”業(yè)務為核心,聚焦5G智能終端設備、網(wǎng)絡通訊終端、醫(yī)療電源、消費電子、物聯(lián)網(wǎng)終端設備五大應用市場,為用戶提供穩(wěn)定、可靠的芯片產(chǎn)品和強大的電源方案開發(fā)、技術支持服務。

 

環(huán)球半導體所推出的高性能PD快充芯片系列解決方案,所設計的PD快充電源具有“小體積”“安全高效”的特點,采用行業(yè)領先的高壓制程,VCC供電支持80V以上,滿足快充全電壓輸出范圍的需要,并且配套全模式同步整流IC,有效抑制CCM模式下DS尖峰問題的同時獲得最佳效率,專利技術的VCC供電結構和開啟、關斷檢測電路以獲得極簡外圍。


環(huán)球半導體所推出的針對電機\馬達驅動需求的電源管理芯片G1611,基于數(shù)字電源技術開發(fā)平臺,運算強、精度高,具有長達12S以上的PeakLoad功能,支持大電流、功率倍增技術。且在功率倍增條件下具有高穩(wěn)定度輸出電壓。


環(huán)球半導體所推出的數(shù)字電源系列芯片(G51、G52系列),是高性能數(shù)字電源芯片領域的領跑者,國內(nèi)首家推出的PSR數(shù)字電源芯片,已經(jīng)成為國內(nèi)外高性能電源芯片市場的主流之選。

 

產(chǎn)品介紹:


一、PD 快充系列方案


超低待機功耗(<30mW),最大功率75W,多工作模式PWM QR Green Burst PeakLoad,自適應環(huán)路增益/工作頻率控制,高壓啟動、X-cap放電、BO,寬輸出電壓范圍(VCC電壓范圍7∽85V),完善的保護功能。

環(huán)球半導體推出氮化鎵快充專用控制芯片G1603B和G3603

              環(huán)球半導體推出氮化鎵快充專用控制芯片G1603B和G3603

二、電機驅動PWM電源芯片 


低待機功耗(<70mW),最大功率75W,最高工作頻率達120kHz,支持CCM & QR工作模式,支持長達12S以上的輸出電流、功率倍增,非常適用于電機、馬達應用中對大電流的需求,具有輸出欠壓、過壓、開環(huán)、短路等各種異常下完善的保護功能。

環(huán)球半導體推出氮化鎵快充專用控制芯片G1603B和G3603

三、第三代AC-DC數(shù)字電源系列芯片G523x/G513x


創(chuàng)新的AC-DC PSR數(shù)字電源架構;

支持輸出峰值電流:1.5倍OCP,40mS

內(nèi)置MOS產(chǎn)品,SOP功率最大24W,DIP功率最大40W;

230Vac input 待機功耗60mW,滿足全球最新能效標準;

數(shù)字精準采樣,±3% CC/CV,可配置精準輸出OVP;

優(yōu)秀的動態(tài)響應性能和完善的保護功能,完美實現(xiàn)高性價比。

廣泛應用于AI智能音箱、網(wǎng)絡盒子、機頂盒、充電器適配器、智能終端、多口充等。

環(huán)球半導體推出氮化鎵快充專用控制芯片G1603B和G3603


四、同步整流系列產(chǎn)品


專利VCC自供電技術

兼容CCM/DCM/QR多種工作模式

強驅動、CCM快速關斷避免DS尖峰

自動檢測DCM振鈴、多種機制防止誤開啟

外圍精簡、多種合封MOS規(guī)格可選

環(huán)球半導體推出氮化鎵快充專用控制芯片G1603B和G3603

上一篇:環(huán)球半導體30W PD快充電源單芯片集成化方案下一篇:環(huán)球半導體:2020(秋季)USB PD&Type-C亞洲展圓滿落幕。